晶片採用的是標準的6英寸碳化矽晶圓生產線。

現階段，國內雖然有少數研究所能做出碳化矽的樣品，但在車規級大規模量產的供應鏈上，國內的底子依然薄弱。

為了保證無界S7上市後的產能與良品率，林世傑和吳漢明在流程上走了一套極其嚴密的合資代工模式。

天芯半導體作為核心設計方，將這套基於0.35微米制程的碳化矽晶片圖紙，交由香港的一家海外殼公司進行中轉持股，最終交給了位於上海的一家擁有國際頂尖車規級代工經驗的合資晶圓廠進行一期試產。

這種操作既避開了不必要的鋒芒，又最大程度利用了現有的國際供應鏈，把生產流程卡在了最穩妥的節點上。

在生產線上，傳統的矽基晶片只需要在1000攝氏度左右進行摻雜，而這枚碳化矽晶片，則需要在1700攝氏度以上的高溫下，注入高能量的氮離子或磷離子，並且後續要透過極其苛刻的高溫退火工藝來修復晶格損傷。

整個生產過程的控制難度，堪稱在微米級的高溫地獄裡雕刻。

但結果是驚人的。

這枚晶片在400V電壓平臺工作時，其導通電阻比傳統的矽基IGBT降低了整整70%，開關損耗降低了近80%。

這意味著，無界S7的電驅系統將在相同電量下，平白無故多出幾十公里的續航，並且熱量產生極低。

確認完所有核心引數後，吳漢明再也抑制不住內心的激動，他猛地抓起桌上的保密電話，直接撥通了董事長辦公室的內線。

電話只響了一聲就被接通了，那頭傳來了許晨沉穩的聲音：“吳總，看樣子是有結果了？”

“許總！成了！徹底成了！”吳漢明握著話筒，聲音因為興奮而微微有些發顫，“0.35微米車規級高壓碳化矽晶片，今天上午完成了全部的全量級流水線實測，各項引數不僅完美達標，在熱損耗和耐壓抗造性上，比我們預想的還要優秀！”

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